Открыта прорывная технология, которая приведет к более совершенной электронике

Одним из ключевых компонентов открытия стала, как это ни удивительно, минимально технологичная липкая лента или скотч.

Международная группа ученых из университета Миннесоты, Аргоннской лаборатории и Национального университета Сеула открыла инновационную технологию в производстве наноструктур, которые обладают потенциалом для создания более компактных и совершенных электрических и оптических устройств. Примечательно, что одним из ключевых инструментов исследования стала клейкая лента.

Результаты опубликованы в издании Nature Communications.

Объединение нескольких стандартных технологий нанопроизводства с использованием скотча привело к созданию экстремально тонких промежутков между слоями металла по всей поверхности четырехдюймовой кремниевой подложки.

Наименьшие промежутки были лишь 1 нанометр шириной, что намного меньше, чем сумели добиться большинство ученых ранее. Кроме того, ширину промежутков можно контролировать на атомном уровне.

Работа ученых обеспечивает основу для производства новых и более совершенных наноструктур, лежащих в ядре передовых электронных и оптических устройств.

Одно из потенциальных использований нанометровых промежутков в металлических слоях — сжатие света в намного более интенсивной манере, чем раньше. Ученые во главе с профессором Дай-Сик Кимом и доктором Мэтью Пэлтоном показали, что свет сжимается до величины полученных промежутков даже притом, что длина волны света в сотни и тысячи раз больше. Исследователи весьма заинтересованы в сжатии света, поскольку так можно увеличить его интенсивность. С помощью новой разработки интенсивность света удавалось увеличить в 600 млн раз.

«Новая технология под названием литография атомного слоя обладает потенциалом для создания ультрамаленьких датчиков с повышенной чувствительностью, а также позволяет проводить эксперименты в наномасштабе, которые ранее были нереализуемы», заключили ученые. „Также мы заложили основу для проведения будущих исследований по улучшению электронных и фотонных устройств“.

04.09.2013